Фотоэмиссия
Туннельные переходы
Автоэлектронная, фотоэлектронная и вторичная электронная эмиссия
При низкой температуре в силовых электрических полях напряжённостью E= 5ˑ107÷108В/см наблюдается автоэлектронная эмиссия, быстро возрастающая с увеличением E, а также с появлением поверхностных дефектов, имеющих заострения и шероховатости. Так как Wa>Wi, то при низких температурах практически нет электронов с энергией Wx>Wa-ΔW. Следовательно, электроны переходят сквозь узкий барьер непосредственно с уровня Ферми и ниже без затраты энергии. Эти переходы носят название туннельных и объясняются волновыми свойствами электронов. Длина волны λe равна λe=h/mV. Плотность тока автоэлектронной, или, как её ещё называют, электростатической эмиссии jаэ может быть определена по формуле Фаулера-Нордгейма
Где и b - константы, зависящие от металла катода. Чем больше E, тем уже барьер и больше jаэ.
При поглощении эмиттером светового излучения могут появиться электроны несколько большей энергии, что некоторые из них преодолевают потенциальный барьер и оказываются эмитированными. Это явление получило название внешнего фотоэффекта. Для металлов условием возникновения фотоэмиссии (закон Эйнштейна) имеет вид
Где V – скорость электрона после эмиссии. Считая , можно определить граничную частоту 0 и длину волны λ0 излучения, вызывающего фотоэмиссию , , получим , где значение ϕ дано в эВ. Плотность тока фотоэмиссии
Где α – коэффициент отражения, значение которого для сварочных дуг может изменяться от 0 до 1.
В металлах уровень Ферми при Т=0К совпадает с верхним из заполненных элементарных уровней, поэтому для них
Граничная длина волны (фотоэлектронная граница) λ0 всех металлов, кроме щёолчных, лежит в ультрафиолетовой или фиолетовой части спектра.
В обычных сварочных дугах фотоэмиссия мало поддаётся количественному расчёту и играет, видимо, незначительную роль в балансе энергии.