Краткие теоретические сведения
Лабораторная работа N 13
«Изучение статических характеристик биполярного транзистора»
Цель работы:
1. Измерить статические характеристики биполярного транзистора (входные, передачи тока, выходные, переходные) в схеме с общим эмиттером;
2. По снятым характеристикам рассчитать низкочастотные малосигнальные h-параметры биполярного транзистора для схем с ОЭ и ОБ в указанных ниже режимах;
3. Изучить основные процессы, протекающие в биполярном транзисторе.
Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей – основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.
Рис. 1. Схематическое изображение транзистора типа p‑n‑p:
Э – эмиттер, Б – база, К – коллектор, W – толщина базы, ЭП – эмиттерный переход, КП – коллекторный переход
Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника: эмиттера, базы и коллектора (рис. 1).
Переход, который образуется на границе эмиттер‑база, называется эмиттерным, а на границе база‑коллектор – коллекторным. В зависимости от типа проводимости крайних слоев различают транзисторы p‑n‑p и n‑p‑n.
Условные обозначения обоих типов транзисторов, рабочие полярности напряжений и направления токов показаны на рис. 2.
Рис. 2. Условные обозначения биполярных транзисторов:
а) p‑n‑p, б) n‑p‑n
По технологии изготовления транзисторы делятся на сплавные, планарные, а также диффузионно‑сплавные, мезапланарные и эпитаксиально‑планарные (рис. 3).
Рис. 3. Разновидности транзисторов по технологии изготовления
Конструктивно биполярные транзисторы оформляются в металлических, пластмассовых или керамических корпусах (рис. 4).
Рис. 4. Конструктивное оформление биполярного транзистора
По характеру движения носителей тока в базе различают диффузионные и дрейфовые биполярные транзисторы.